Nova technologia mollis recta et eius applicatio in materia velit
Ab anno 1966, EM Technologia commissa est investigationi et evolutioni materiae insulationis. 56 annorum cultura in industria, ingens systema inquisitionis scientificae formata est, plus quam XXX species novae materiae insulationis ortae sunt, servientes potentiae electricae, machinae, petroleum, chemica, electronica, autocineta, constructio, nova energia et aliae industriae. . Inter eos, applicatio
materia velitationis in machinis fingendis etiam una e clavis directionum quas nos ponunt.
Sicut nova generatio technologiae DC transmissionis, flexibilis DC transmissio similis est HVDC transmissioni in structura, quae adhuc componitur ex stationibus convertentibus et lineis transmissionibus DC. Diversus a fonte currenti convertentis generis HVDC transmissionis secundum technologiam moderatam commutationis, convertens in flexibili DC transmissione est fons intentionis convertentis (VSC), quod proprium est usus machinarum mutabilium (plerumque IGBT) ac summae frequentiae technologiae modulationis. . Annis flexibilis DC transmissio ad altiorem intentionem gradum ac facultatem evehitur.
Status applicationis IGBT: IGBT portae bipolaris insulatae plena est, quae flecti potest, commoda parvae iacturae et facilioris moderationis habet, et haberi potest sicut CPU transmissionis directae mollis. Nunc, IGBT ad consilium applicati sunt omnes fructus importati, praesertim ABB et Siemens, cum domestica IGBT cum magna intentione et alta facultate maturos fructus non habet. Nunc, localisatio progressus tardus est, dependentia import valida est, et periculum relative magnum est. Eodem tempore, sumptus IGBT computat circiter 30% valvae sumptus.
FACULTAS NOVAE IGCT: Respectu humilis facundia IGBT in Sinis, IGBT reponere conamur cum IGCT. Commutatio frequentia, impulsus potentiae et aliae traditionis IGCT perficientur minus IGBT sunt, sed quaedam commoda in facultate, in statu iactura, commutatione damnum et sumptus (pretium productorum cum eadem facultate est circiter 1/2 of IGBT ). Attamen, si traditum IGCT applicatum ad UHV potentiae transmissionis flexibilem, semel in IGCT versa, diode magnam contra recuperationem currentem generabit, quae magnam vim in systemate habebit. Ut ergo diode tueretur, novum ICCT indagavimus, additis absorptionibus circuitibus in moduli tradito IGCT ad ictum in systematis redigendum.
Nova IGCT Applications: Cum accessione gyrorum adiectis effusio, nova IGCT intentio nostra magis compacta est et altiorem ictum resistentiam habet et firmitatem altam, sic efficere possumus cum superiore insulationis firmitate et viribus mechanicis. Xd Systema Potentiae Co., Ltd. prae-investigat materias insulationis pro effusio IGCT ambitus pro project Yunnan Maitrei. Si consilium in XD systematis systematis innititur, numerus modulorum IGCT per 3% circiter cum IGBT comparatus reducendus erit, et summa materiae insulationis summa 2—3 temporum IGBT erit.
For more product information please refer to the official website: https://www.dongfang-insulation.com/ or mail us: sales@dongfang-insulation.com
Post tempus: Nov-18-2022
